Каталог товаров
Назад

SIZ900DT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR


SIZ900DT-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-PowerPair™
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 48W, 100W
Исполнение корпуса 6-PowerPair™
Base Part Number SIZ900
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-PowerPair™
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 48W, 100W
Исполнение корпуса 6-PowerPair™
Base Part Number SIZ900
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V

SIZ900DT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
SIZ900DT-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SIZ900DT-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIZ900DT-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC
95 шт.
6714 шт.
от 232 ₽
+ 8700 баллов

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1211 ₽
+ 90825 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1057 ₽
+ 79275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1057 ₽
+ 79275 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 795 ₽
+ 59625 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1260 ₽
+ 189000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1134 ₽
+ 85050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 823 ₽
+ 61725 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 687 ₽
+ 103050 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 764 ₽
+ 57300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
653 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 779 ₽
+ 116850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
40 шт.
от 690 ₽
+ 51750 баллов