SIZ730DT-T1-GE3 от 254 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR, Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerPair™
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	27W, 48W
Исполнение корпуса	6-PowerPair™
Base Part Number	SIZ730
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-PowerPair™
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	27W, 48W
Исполнение корпуса	6-PowerPair™
Base Part Number	SIZ730
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A, 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V