SIZ350DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.75 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	940pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.75 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	940pF @ 15V

SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3 характеристики