SIZ348DT-T1-GE3 от 135 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 100А, Vishay Siliconix

SIZ348DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.12 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.12 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 15V