SIZ340DT-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	PowerPAIR®, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	16.7W, 31W
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 15.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	PowerPAIR®, TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerWDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	16.7W, 31W
Исполнение корпуса	8-Power33 (3x3)
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 15.6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V

SIZ340DT-T1-GE3

SIZ340DT-T1-GE3 характеристики