SIUD412ED-T1-GE3 от 52 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А, Vishay Siliconix

SIUD412ED-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 0806
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 0806
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.71nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 0806
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 0806
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.71nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V