SISS02DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8S
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8S
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8S
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8S
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4450pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3 характеристики