SISH129DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8SH
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8SH
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3345pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8SH
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8SH
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3345pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3 характеристики