SISF00DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8S
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	69.4W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8S
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8S
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	69.4W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8S
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V

SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3 характеристики