SISB46DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	23W
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.71 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	23W
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.71 mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 20V

SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3 характеристики