SIS932EDN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3 характеристики