SIS903DN-T1-GE3 от 305 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -40А, Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen III
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V