Каталог товаров
Назад

SIS322DNT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
82
  • 1 шт
    82 ₽
  • 10 шт
    79 ₽
  • 100 шт
    76 ₽
  • 500 шт
    69 ₽
  • 1000 шт
    62 ₽
  • 3000 шт
    52 ₽
  • 6000 шт
    52 ₽
  • 9000 шт
    49 ₽
  • 24000 шт
    48 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 82
При покупке кэшбэк 12 баллов


SIS322DNT-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® 1212-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® 1212-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) +20V, -16V

SIS322DNT-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Бесплатная доставка SIS322DNT-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIS322DNT-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
3,000 шт.
1093 шт.
от 404 ₽
+ 181800 баллов
Infineon Technologies
IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
95 шт.
14244 шт.
от 252 ₽
+ 430920 баллов

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 23 ₽
+ 10350 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14400 шт.
от 21.6 ₽
+ 97200 баллов
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 28.3 ₽
+ 1426 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
609856 шт.
от 16.2 ₽
+ 182250 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
9927 шт.
от 18 ₽
+ 8100 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
3312 шт.
от 22 ₽
+ 9900 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
3754 шт.
от 13.2 ₽
+ 1980 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
6254 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1160 шт.
от 12.3 ₽
+ 5535 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
5954 шт.
от 14 ₽
+ 6300 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 14.4 ₽
+ 6480 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2378 шт.
от 16.6 ₽
+ 7470 баллов