SIRA10BDP-T1-GE3 от 192 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 150А; 28Вт, Vishay Siliconix

SIRA10BDP-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 43W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 43W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1710pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V