Каталог товаров
Назад

SIR770DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
269
  • 1 шт
    269 ₽
  • 10 шт
    222 ₽
  • 100 шт
    173 ₽
  • 500 шт
    142 ₽
  • 1000 шт
    121 ₽
  • 3000 шт
    121 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 269
При покупке кэшбэк 40 баллов


SIR770DP-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 17.8W
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V
  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 17.8W
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V

SIR770DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Бесплатная доставка SIR770DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR770DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Analog Devices Inc.
IC MOSFET DVR 4A DL HS 8SOIC
1 шт.
1059 шт.
от 346 ₽
+ 129750 баллов

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1167 ₽
+ 87525 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1018 ₽
+ 76350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1018 ₽
+ 76350 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 766 ₽
+ 57450 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1228 ₽
+ 184200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1106 ₽
+ 82950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 803 ₽
+ 60225 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 662 ₽
+ 99300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 745 ₽
+ 55875 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
645 шт.
от 665 ₽
+ 49875 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 760 ₽
+ 114000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
40 шт.
от 665 ₽
+ 49875 баллов