Каталог товаров
Назад

SIR410DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
359
  • 1 шт
    359 ₽
  • 10 шт
    227 ₽
  • 100 шт
    151 ₽
  • 500 шт
    119 ₽
  • 1000 шт
    109 ₽
  • 3000 шт
    95 ₽
  • 6000 шт
    89 ₽
  • 9000 шт
    86 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 359
При покупке кэшбэк 53 балла


SIR410DP-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Vishay Siliconix

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

SIR410DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Siliconix

Бесплатная доставка SIR410DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR410DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 22 ₽
+ 9900 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
334762 шт.
от 15 ₽
+ 168750 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
904 шт.
от 21.4 ₽
+ 9630 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1194 шт.
от 12.7 ₽
+ 1905 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
3754 шт.
от 15.6 ₽
+ 7020 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1830 шт.
от 11.8 ₽
+ 5310 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
765326 шт.
от 15 ₽
+ 13500 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1609 шт.
от 13.8 ₽
+ 6210 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2378 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
1 шт.
55 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3
1 шт.
48 шт.
от 15 ₽
+ 6750 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
1 шт.
2810 шт.
от 16.7 ₽
+ 7515 баллов