Каталог товаров
Назад

SIR410DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
240
  • 1 шт
    240 ₽
  • 10 шт
    193 ₽
  • 100 шт
    149 ₽
  • 500 шт
    131 ₽
  • 1000 шт
    111 ₽
  • 3000 шт
    104 ₽
  • 6000 шт
    98 ₽
  • 9000 шт
    96 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 240
При покупке кэшбэк 36 баллов


SIR410DP-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V

SIR410DP-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Бесплатная доставка SIR410DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR410DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V .04A SOT23
3,000 шт.
542 шт.
от 23 ₽
+ 10350 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14400 шт.
от 21.6 ₽
+ 97200 баллов
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 28.7 ₽
+ 1446 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
1 шт.
609856 шт.
от 16.2 ₽
+ 182250 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23
1 шт.
9927 шт.
от 18 ₽
+ 8100 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23
1 шт.
3312 шт.
от 22 ₽
+ 9900 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
3754 шт.
от 13.2 ₽
+ 1980 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
1 шт.
6254 шт.
от 16 ₽
+ 7200 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
1 шт.
1160 шт.
от 12.3 ₽
+ 5535 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
1 шт.
5954 шт.
от 14 ₽
+ 6300 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
1 шт.
1586 шт.
от 14.4 ₽
+ 6480 баллов
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
1 шт.
2378 шт.
от 16.6 ₽
+ 7470 баллов