Каталог товаров
Назад

SIR401DP-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А
151
  • 1 шт
    151 ₽
  • 10 шт
    149 ₽
  • 100 шт
    120 ₽
  • 500 шт
    103 ₽
  • 1000 шт
    94 ₽
  • 3000 шт
    85 ₽
  • 6000 шт
    82 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 151
При покупке кэшбэк 22


SIR401DP-T1-GE3 характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс) 5W (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9080pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (Max) ±12V
  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности (Макс) 5W (Ta), 39W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9080pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Vgs (Max) ±12V

SIR401DP-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Бесплатная доставка SIR401DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SIR401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SIR401DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 35 ₽
+ 26
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14400 шт.
от 132 ₽
+ 20
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 44 ₽
+ 178
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
588554 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
635989 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12711 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
26249 шт.
от 89 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
521748 шт.
от 104 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
67148 шт.
от 99 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
743385 шт.
от 108 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 97 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
21248 шт.
от 104 ₽
+ 16