SIR108DP-T1-RE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3 характеристики