SIHU4N80E-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	E
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	IPAK (TO-251)
Рассеивание мощности (Макс)	69W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.27 Ohm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	622pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	E
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	IPAK (TO-251)
Рассеивание мощности (Макс)	69W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.27 Ohm @ 2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	622pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3 характеристики