SIHS20N50C-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-274AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SUPER-247 (TO-274AA)
Рассеивание мощности (Макс)	250mW (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2942pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-274AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SUPER-247 (TO-274AA)
Рассеивание мощности (Макс)	250mW (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	500V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2942pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3 характеристики