SIHB30N60E-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263)
Рассеивание мощности (Макс)	250W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	D?PAK (TO-263)
Рассеивание мощности (Макс)	250W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 15A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3 характеристики