SIHA2N80E-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	E
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220 Full Pack
Рассеивание мощности (Макс)	29W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	E
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-220 Full Pack
Рассеивание мощности (Макс)	29W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75 Ohm @ 1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315pF @ 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3 характеристики