SIE818DF-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	10-PolarPAK® (L)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	10-PolarPAK® (L)
Рассеивание мощности (Макс)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 38V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	10-PolarPAK® (L)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	10-PolarPAK® (L)
Рассеивание мощности (Макс)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	75V
Ток стока (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 38V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3 характеристики