SIDR392DP-T1-GE3 от 707 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А, Vishay Siliconix

SIDR392DP-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8DC
Рассеивание мощности (Макс)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9530pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET® Gen IV
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8DC
Рассеивание мощности (Макс)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9530pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V