SIC645AER-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	VRPower®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	32-PowerWFQFN
Технология	NMOS
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit, Status Flag
Интерфейс	PWM
Применение	Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Исполнение корпуса	PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Напряжение питания	4.75 ~ 5.25 V
Выходной ток на канал	-
Повторяющийся импульсный ток	-
Конфигурация выхода	Half Bridge
Защита от отказов	Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	0.76 mOhm LS, 3.6 mOhm HS
Напряжение нагрузки	4.5 V ~ 18 V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	VRPower®
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	32-PowerWFQFN
Технология	NMOS
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TJ)
Особенности	Bootstrap Circuit, Status Flag
Интерфейс	PWM
Применение	Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Исполнение корпуса	PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Напряжение питания	4.75 ~ 5.25 V
Выходной ток на канал	-
Повторяющийся импульсный ток	-
Конфигурация выхода	Half Bridge
Защита от отказов	Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Тип нагрузки	Inductive
Сопротивление Rds On (Номинальное)	0.76 mOhm LS, 3.6 mOhm HS
Напряжение нагрузки	4.5 V ~ 18 V

SIC645AER-T1-GE3

SIC645AER-T1-GE3 характеристики