SIB911DK-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Base Part Number	SIB911
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Base Part Number	SIB911
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	115pF @ 10V

SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3 характеристики