SIA929DJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	7.8W
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	7.8W
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V

SIA929DJ-T1-GE3

SIA929DJ-T1-GE3 характеристики