SIA910EDJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	7.8W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number	SIA910E
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 6V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	7.8W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number	SIA910E
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	455pF @ 6V

SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3 характеристики