SIA817EDJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Body)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3 характеристики