SIA811ADJ-T1-GE3 от 155 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А, Vishay Siliconix

SIA811ADJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	LITTLE FOOT®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	Schottky Diode (Isolated)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V