SIA447DJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеивание мощности (Макс)	19W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеивание мощности (Макс)	19W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3 характеристики