SIA436DJ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеивание мощности (Макс)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1508pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SC-70-6
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеивание мощности (Макс)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1508pF @ 4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3 характеристики