SI9934BDY-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI9934
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI9934
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3 характеристики