SI8441DB-T2-E1 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-MICRO FOOT™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Рассеивание мощности (Макс)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-MICRO FOOT™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Рассеивание мощности (Макс)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (Max)	±5V

SI8441DB-T2-E1

SI8441DB-T2-E1 характеристики