SI8261BBC-C-ISR от 513 ₽, Изоляторы - Гальваническая развязка, DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC, Silicon Labs

SI8261BBC-C-ISR характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CQC, CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	9.4 V ~ 30 V
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Повторяющийся импульсный ток	4A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	500mA, 1.2A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	5.5ns, 8.5ns
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 50ns
Искажение длительности импульса (Макс)	28ns
Прямое напряжение (Vf)	2.8V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	35kV/µs
Прямой ток (If) (Max)	30mA

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология	Capacitive Coupling
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Омологация	CQC, CSA, UR, VDE
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	8-SOIC
Напряжение питания	9.4 V ~ 30 V
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Повторяющийся импульсный ток	4A
Ток выхода высокий уровень, низкий уровень	500mA, 1.2A
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	5.5ns, 8.5ns
Задержка распространения tpLH / tpHL (Макс)	60ns, 50ns
Искажение длительности импульса (Макс)	28ns
Прямое напряжение (Vf)	2.8V (Max)
Помехоустойчивость (Мин)	35kV/µs
Прямой ток (If) (Max)	30mA