SI7852DP-T1-E3 от 594 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12,5А; Idm: 50А, Vishay Siliconix

SI7852DP-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс)	1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	80V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±20V