SI7629DN-T1-GE3 от 253 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А, Vishay Siliconix

SI7629DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	177nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	177nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (Max)	±12V