SI7601DN-T1-GE3

Описание

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Отправить запрос

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

SI7601DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

SI7601DN-T1-GE3

Описание

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

SI7601DN-T1-GE3

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Бесплатно доставим SI7601DN-T1-GE3 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — одиночные SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI7601DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3

277 шт - 4-6 недель

от 27 ₽

Кэшбэк + 20

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23

101620 шт - 4-6 недель

от 76 ₽

Кэшбэк + 11

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23

5 шт - в наличии

56761 шт - 4-6 недель

от 76 ₽

Кэшбэк + 11

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23

19646 шт - 4-6 недель

от 76 ₽

Кэшбэк + 11

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23

36178 шт - 4-6 недель

от 63 ₽

Кэшбэк + 9

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23

2982 шт - 4-6 недель

от 99 ₽

Кэшбэк + 15

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

2495 шт - 4-6 недель

от 27.3 ₽

Кэшбэк + 20

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23

613756 шт - 4-6 недель

от 76 ₽

Кэшбэк + 11

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

17466 шт - 4-6 недель

от 68 ₽

Кэшбэк + 10

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; 900мВт; SOT23

13422 шт - 4-6 недель

от 63 ₽

Кэшбэк + 9

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

55441 шт - 4-6 недель

от 80 ₽

Кэшбэк + 12

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

178124 шт - 4-6 недель

от 83 ₽

Кэшбэк + 12

Смотреть все

Выберите ваш город