SI7540DP-T1-E3 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8, Vishay Siliconix

SI7540DP-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Base Part Number	SI7540
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® SO-8 Dual
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.4W
Исполнение корпуса	PowerPAK® SO-8 Dual
Base Part Number	SI7540
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	7.6A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-