SI7317DN-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	PowerPAK® 1212-8
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (Max)	±30V

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3 характеристики