Каталог товаров
Назад

SI7222DN-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8


SI7222DN-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 17.8W
Исполнение корпуса PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7222
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Obsolete
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® 1212-8 Dual
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 17.8W
Исполнение корпуса PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Part Number SI7222
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5.7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V

SI7222DN-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
SI7222DN-T1-GE3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка SI7222DN-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI7222DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1139 ₽
+ 170850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
75 шт.
от 932 ₽
+ 279600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
47 шт.
от 932 ₽
+ 279600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 701 ₽
+ 210300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
326 шт.
от 1032 ₽
+ 309600 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 909 ₽
+ 68175 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
377 шт.
от 659 ₽
+ 98850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
33 шт.
от 618 ₽
+ 185400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
46 шт.
от 659 ₽
+ 98850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1224 шт.
от 620 ₽
+ 186000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
332 шт.
от 659 ₽
+ 98850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
58 шт.
от 595 ₽
+ 89250 баллов