Каталог товаров
Назад

SI7164DP-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт
662
  • 1 шт
    662 ₽
  • 10 шт
    558 ₽
  • 25 шт
    539 ₽
  • 100 шт
    423 ₽
  • 500 шт
    359 ₽
  • 1000 шт
    340 ₽
  • 3000 шт
    338 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 662
При покупке кэшбэк 99


SI7164DP-T1-GE3 характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.25 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V
  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус PowerPAK® SO-8
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса PowerPAK® SO-8
Рассеивание мощности (Макс) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.25 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2830pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (Max) ±20V

SI7164DP-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 80А; 104Вт
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Semiconductors

Бесплатная доставка SI7164DP-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — одиночные SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI7164DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
IRFH5206TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 16A 8-PQFN
1 шт.
по запросу

Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
3,000 шт.
535 шт.
от 33.64 ₽
+ 25
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
1 шт.
14400 шт.
от 128.17 ₽
+ 19
AO3400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
3,000 шт.
534 шт.
от 42.69 ₽
+ 173
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
598476 шт.
от 105.28 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
636508 шт.
от 105.28 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
12711 шт.
от 105.28 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
1 шт.
26869 шт.
от 86.97 ₽
+ 13
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
522368 шт.
от 100.7 ₽
+ 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
1 шт.
67148 шт.
от 96.13 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
1 шт.
756695 шт.
от 105.28 ₽
+ 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
1 шт.
24078 шт.
от 93.84 ₽
+ 14
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
1 шт.
22548 шт.
от 100.7 ₽
+ 15