Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 65А; Idm: 100А

207 ₽

2 шт

В наличии

73794 шт
5-6 недель

1 шт

207 ₽
10 шт

169 ₽
100 шт

119 ₽
500 шт

96 ₽
1000 шт

88 ₽
3000 шт

80 ₽
6000 шт

79 ₽
9000 шт

78 ₽
24000 шт

76 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 207 ₽
При покупке кэшбэк 31 балл

Добавить в корзину

SI7116BDN-T1-GE3 характеристики
Технология	TrenchFET®
Тип транзистора	N-MOSFET
Заряд затвора	48нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	40В
Ток стока	65А
Сопротивление в открытом состоянии	9,6мОм
Рассеиваемая мощность	62,5Вт
Полярность	полевой
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В
Ток стока в импульсном режиме	100А

Производитель

Vishay / Siliconix

Документация

Datasheetpdf, 8,08 KB

Характеристики	Выбрать все
Технология	TrenchFET®
Тип транзистора	N-MOSFET
Заряд затвора	48нC
Монтаж	SMD
Вид упаковки	бобина
Напряжение сток-исток	40В
Ток стока	65А
Сопротивление в открытом состоянии	9,6мОм
Рассеиваемая мощность	62,5Вт
Полярность	полевой
Вид канала	обогащенный
Напряжение затвор-исток	±20В
Ток стока в импульсном режиме	100А

SI7116BDN-T1-GE3

Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 65А; Idm: 100А

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Vishay / Siliconix

Документация

Datasheetpdf, 8,08 KB

Бесплатная доставка SI7116BDN-T1-GE3 по России

Разное SI7116BDN-T1-GE3 доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI7116BDN-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.