SI6969DQ-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	SI6969
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Base Part Number	SI6969
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

SI6969DQ-T1-E3

SI6969DQ-T1-E3 характеристики