Failed to connect to MySQLi: (1040) Too many connections SI6913DQ-T1-GE3 от 96 руб, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP, Vishay Siliconix
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

SI6913DQ-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP


SI6913DQ-T1-GE3 характеристики
Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 830mW
Исполнение корпуса 8-TSSOP
Base Part Number SI6913
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

Характеристики
Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 830mW
Исполнение корпуса 8-TSSOP
Base Part Number SI6913
Тип полевого транзистора 2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -

SI6913DQ-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на SI6913DQ-T1-GE3. Транзисторы — полевые — массивы производства Vishay Siliconix доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы SI6913DQ-T1-GE3 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1051 ₽
+ 157650 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
83 шт.
от 860 ₽
+ 258000 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 860 ₽
+ 258000 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 647 ₽
+ 194100 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
337 шт.
от 953 ₽
+ 285900 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 857 ₽
+ 257100 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
234 шт.
от 634 ₽
+ 190200 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 570 ₽
+ 171000 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
594 шт.
от 634 ₽
+ 190200 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3067 шт.
от 573 ₽
+ 171900 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
297 шт.
от 634 ₽
+ 190200 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
22 шт.
от 573 ₽
+ 171900 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город