SI6465DQ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-TSSOP
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	8V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

SI6465DQ-T1-GE3

SI6465DQ-T1-GE3 характеристики