SI5902DC-T1-E3 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8, Vishay Siliconix

SI5902DC-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	1206-8 ChipFET™
Base Part Number	SI5902
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SMD, Flat Lead
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.1W
Исполнение корпуса	1206-8 ChipFET™
Base Part Number	SI5902
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.9A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-