SI4946BEY-T1-E3 от 305 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8, Vishay Siliconix

SI4946BEY-T1-E3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI4946
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 30V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.7W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI4946
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 5.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 30V