Каталог товаров
Назад

SI4900DY-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
297
  • 1 шт
    297 ₽
  • 10 шт
    241 ₽
  • 100 шт
    188 ₽
  • 500 шт
    159 ₽
  • 1000 шт
    129 ₽
  • 2500 шт
    124 ₽
  • 5000 шт
    116 ₽
  • 10000 шт
    115 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 297
При покупке кэшбэк 44 балла


SI4900DY-T1-GE3 характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.1W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number SI4900
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
  • Производитель
    Vishay / Siliconix

Характеристики

Производитель Vishay Siliconix
Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.1W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number SI4900
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V
Ток стока (Id) @ 25°C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V

SI4900DY-T1-GE3

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay / Siliconix

Бесплатная доставка SI4900DY-T1-GE3 по России

Транзисторы — полевые — массивы SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI4900DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
1 шт.
1122 шт.
от 81 ₽
+ 12150 баллов
Analog Devices Inc.
IC MOSFET DVR 4A DL HS 8SOIC
1 шт.
1059 шт.
от 346 ₽
+ 129750 баллов

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1181 ₽
+ 88575 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
55 шт.
от 1031 ₽
+ 77325 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
22 шт.
от 1031 ₽
+ 77325 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
12 шт.
от 775 ₽
+ 58125 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
18 шт.
от 1228 ₽
+ 184200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
118 шт.
от 1106 ₽
+ 82950 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
86 шт.
от 803 ₽
+ 60225 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
13 шт.
от 670 ₽
+ 100500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
161 шт.
от 745 ₽
+ 55875 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
645 шт.
от 673 ₽
+ 50475 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
122 шт.
от 760 ₽
+ 114000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
40 шт.
от 673 ₽
+ 50475 баллов