Каталог товаров
Назад

SI4564DY-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А
334
цена с НДС
  • 1 шт
    334 ₽
  • 10 шт
    212 ₽
  • 100 шт
    143 ₽
  • 500 шт
    114 ₽
  • 1000 шт
    104 ₽
  • 2500 шт
    94 ₽
  • 5000 шт
    87 ₽
  • 7500 шт
    84 ₽
  • 12500 шт
    81 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 334
При покупке кэшбэк 50 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

SI4564DY-T1-GE3 характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.1W, 3.2W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number SI4564
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 855pF @ 20V
  • Производитель
    Vishay Siliconix

Характеристики

Серия TrenchFET®
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 3.1W, 3.2W
Исполнение корпуса 8-SO
Base Part Number SI4564
Тип полевого транзистора N and P-Channel
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40V
Ток стока (Id) @ 25°C 10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 855pF @ 20V

SI4564DY-T1-GE3

  • Описание
    Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Vishay Siliconix

Бесплатно доставим SI4564DY-T1-GE3 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI4564DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Infineon Technologies
IC: driver; одиночный транзистор; high-side,контроллер затвора
3605 шт - 4-6 недель
от 314 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 47
RE932-01
Плата: универсальная; переходная; W: 8мм; L: 20,5мм; SO8
593 шт - 4-6 недель
от 690 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 104

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
15 шт - 4-6 недель
от 1868 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 280
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
41 шт - 4-6 недель
от 1354 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 203
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1745 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 262
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1224 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 184
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт - 4-6 недель
от 1844 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 277
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1842 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 276
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
135 шт - 4-6 недель
от 1221 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 183
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1365 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 205
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
93 шт - 4-6 недель
от 1241 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186