SI4564DY-T1-GE3 от 334 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А, Vishay Siliconix

SI4564DY-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W, 3.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI4564
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W, 3.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI4564
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 20V