SI4564DY-T1-GE3

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А

1 676 ₽

цена с НДС

3833 шт
4-6 недель

1 шт

1 676 ₽
10 шт

382 ₽
100 шт

184 ₽
500 шт

139 ₽
1000 шт

137 ₽
2500 шт

112 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 1 676 ₽
При покупке кэшбэк 251 балл

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

Производитель

Vishay Siliconix

Документация

Datasheetpdf, 3,83 KB

SI4564DY-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Серия	TrenchFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	3.1W, 3.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Base Part Number	SI4564
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A, 9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5 mOhm @ 8A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	855pF @ 20V

SI4564DY-T1-GE3

Описание

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-7,4А

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Vishay Siliconix

Документация

Datasheetpdf, 3,83 KB

Бесплатно доставим SI4564DY-T1-GE3 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы SI4564DY-T1-GE3 Vishay Siliconix доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить SI4564DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Сопутствующие товары

Infineon Technologies

IC: driver; одиночный транзистор; high-side,контроллер затвора

3370 шт - 4-6 недель

от 487 ₽

Кэшбэк + 73

Подробнее

RE932-01

Плата: универсальная; переходная; W: 8мм; L: 20,5мм; SO8

473 шт - 4-6 недель

от 817 ₽

Кэшбэк + 123

Подробнее

Смотреть все

Похожие товары

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

42 шт - 4-6 недель

от 2067 ₽

Кэшбэк + 310

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

41 шт - 4-6 недель

от 1603 ₽

Кэшбэк + 240

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

78 шт - 4-6 недель

от 2213 ₽

Кэшбэк + 332

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

28 шт - 4-6 недель

от 1603 ₽

Кэшбэк + 240

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

454 шт - 4-6 недель

от 2320 ₽

Кэшбэк + 348

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

24 шт - 4-6 недель

от 2236 ₽

Кэшбэк + 335

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

1154 шт - 4-6 недель

от 1616 ₽

Кэшбэк + 242

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

25 шт - 4-6 недель

от 1616 ₽

Кэшбэк + 242

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

1270 шт - 4-6 недель

от 1797 ₽

Кэшбэк + 270

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

1000 шт - 4-6 недель

от 1829 ₽

Кэшбэк + 274

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

106 шт - 4-6 недель

от 1496 ₽

Кэшбэк + 224

Advanced Linear Devices Inc.

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

50 шт - 4-6 недель

от 2127 ₽

Кэшбэк + 319

Смотреть все

Выберите ваш город